7月10日，工信部副部长怀进鹏一行到中车株洲电力机车研究所，就IGBT重大项目和产业发展情况进行调研。省政府副秘书长陈仲伯、省经信委副主任李球、陈松岭等陪同调研。
　　怀进鹏副部长一行参观考察了中车株洲所陈列馆、IGBT生产线，详细了解IGBT技术原理、研发进展和产业化应用等情况，肯定了中车株洲所在科技研发、创新创业中取得的成绩。
　　座谈会上，中车株洲所介绍了有关IGBT重大项目的建设情况和在轨道交通和电力领域的应用情况，以及未来还将进入新能源汽车以及家电等更多更广的领域。去年，中车株洲所8英寸IGBT专业芯片线投产，打破了英飞凌、ABB、三菱等国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断。希望工信部能加大对大功率半导体产业的引导与支持力度，支持优势企业带动、产业配套建设加强，形成产业联盟，从而推动产业全面发展。
　　怀进鹏副部长充分肯定了中车株洲所在IGBT技术研发和产业发展方面做出的巨大成绩。他表示，将积极研究有针对性的政策支持好IGBT产业发展，希望中车株洲所在深化IGBT产品研发的同时，进一步探索产业化应用新模式，使其在推进“中国制造2025”战略、在我国高端装备“走出去”战略中扮演更重要角色。
　　怀进鹏副部长在株洲调研期间，株洲市毛腾飞市长等市里相关领导陪同调研，并参加了座谈会。
　　
　　怀进鹏副部长出席座谈会


　　省政府副秘书长陈仲伯主持座谈会


　　座谈会现场


　　怀进鹏副部长一行在中车株洲所参观考察