湖南省功率半导体产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟第四届国际学术论坛在株举行

湖南省工业和信息化厅 gxt.hunan.gov.cn 时间:2018年11月08日 【字体:
  

  11月6日,湖南省功率半导体产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟第四届国际学术论坛在我市举行,湖南省功率半导体制造业创新中心同时揭牌。省委常委、常务副省长陈向群出席并讲话。株洲市委书记、市人大常委会主任毛腾飞出席并致辞,市委副书记、市长阳卫国作产业推介。省工业和信息化厅总经济师熊琛主持推介会。

  工业和信息化部、国家能源局有关领导,中国科学院院士陈星弼,中国工程院院士丁荣军、汤广福等行业专家及产业链企业代表近300人参加活动。

  IGBT技术创新与产业联盟由工信部指导成立,成员主要来自IGBT各产业链骨干企业、科研院所、高校等。省功率半导体制造业创新中心采取“公司+联盟”形式组建,将打造创新平台,推进功率半导体产业发展。

  陈向群代表省委省政府向对接会及论坛的成功举办表示祝贺。他说,此次对接会和论坛以打造具有竞争力的IGBT产业链为主题,共同探讨、谋划产业发展未来,必将有力促进我省IGBT产业加快发展。当前,湖南正在大力营造良好的政策环境,推进IGBT产业持续健康发展,需要方方面面的支持。下一步,要坚持规划引领,制定行业发展规划,努力打造湖南产业发展新名片。要强化创新驱动,以创建长株潭城市群“中国制造2025”国家级示范区为抓手,依托产业联盟优势,加快掌握核心技术。要加大人才支持力度,加快引进领军人才和培养高素质人才。要优化发展环境,制定系列扶持政策,进一步加大对技术转化、产品运用的支持力度。

  国家能源局监管总监李冶表示,功率半导体运用市场广阔,希望IGBT技术创新与产业联盟及新成立的创新中心充分发挥人才、资源优势,推动产业快速发展。工信部相关负责人表示,希望湖南以打造IGBT全产业链为契机,加快功率半导体产业发展步伐,工信部将全力给予支持。

  毛腾飞代表市委市政府对各位领导和嘉宾的到来表示欢迎和感谢。他说,IGBT技术创新与产业联盟,是一种全新的技术创新模式、一种创新发展的生动实践。株洲作为大功率IGBT产业项目的承载地、技术联盟的发起地,将抢抓科技强国和制造强国战略机遇,加快推进IGBT技术创新和产业发展,推动产业链与技术链、创新链、价值链融合,致力打造国内有重要影响的IGBT全产业链基地,全力支撑打造中国动力谷。将广泛集聚各方英才,提供最优营商环境,加强IGBT产业链发展的全要素保障,奋力谱写加快建设制造强省、实现高质量发展的株洲篇章。

  阳卫国在作产业推介时表示,发展IGBT产业,株洲有着坚实的基础和良好的前景。希望以此次对接会和论坛为契机,与大家携手奋进,共同推进功率半导体产业化进入发展快车道,为落实“中国制造2025”、共铸中国IGBT产业辉煌作出积极贡献。欢迎各位领导、嘉宾常来株洲考察指导,株洲将全力做好服务,推动彼此合作,实现共同发展。

  论坛上,陈星弼、汤广福及日本IEEE高级会员岩岸宪幸博士、英国工程和物理科学研究委员会Mark Johnson教授等9位专家作专题报告。

  株洲市领导刘光跃、毛朝晖、何朝晖参加活动。