5月25日，国内最大规模大功率IGBT产业基地和8英寸IGBT芯片生产线项目在南车株洲电力机车研究所有限公司正式奠基建设。中国南车股份有限公司董事长赵小刚，省经信委副主任李球、株洲市委副书记、市长王群出席奠基仪式。
项目总投资14亿元，占地160亩，建设1条国际领先的8英寸IGBT芯片生产线和9条满足不同行业用的IGBT模块生产线。产品电压等级从600伏到6500伏，满足轨道交通、电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网、高压变频、工业传动等多个行业需求。项目预计2013年正式投产。建成后，该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力，年产值超过20亿元。
据了解，该项目建成后，“南车株洲所”将成为国内唯一掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链的企业，成为我国首个完全依靠自主能力建设、设计规模最大、产品型谱最全的大功率IGBT产业化基地，产业规模将进入世界大功率半导体器件生产企业前三强。
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IGBT，英文全称Insulated Gate Bipolar Transistor，中文全名绝缘栅双极晶体管，是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，作为电力电子技术的核心技术，是电机控制和功率变换器的首选器件，被业界誉为功率变流装置的 “心脏”，是国家产业政策重点支持和扶植的重大项目。
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