近日，株洲南车时代电气股份有限公司“轨道交通用3300伏等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片研制及应用”项目通过专家组鉴定。鉴定认为，项目成果代表了轨道交通用该电压等级IGBT器件技术最高水平，技术创新性强，填补了国内空白，达到国际先进水平。
　　
　　IGBT被誉为功率变流产品的“CPU”，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式器件，具有易驱动、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等特点。
　　
　　2008年，中国南车收购英国丹尼克斯半导体公司，掌握了成熟的IGBT设计、制造和检测技术，随后在英国成立功率半导体海外研发中心，专注IGBT芯片、碳化硅等高端技术研发与应用。中国南车在株洲投入近15亿元，建设国内首条8英寸生产基地，可年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只IGBT模块IGBT芯片。2013年年底，项目正式投产后，可提高现有产量逾7倍。